Samsung teste la première carte microSD SD Express de 256 Go du secteur, offrant des vitesses plus de quatre fois supérieures à celles de l’interface actuelle.
Carte microSD UHS-1 de 1 To de Samsung en production de masse basée sur la dernière technologie V-NAND
Samsung Electronics, leader mondial des technologies de mémoire avancées, a annoncé aujourd’hui avoir commencé à échantillonner sa carte microSD SD Express2 de 256 gigaoctets (Go)1 avec une vitesse de lecture séquentielle allant jusqu’à 800 mégaoctets par seconde (Mo/s) et a commencé à production de sa carte microSD UHS-1 de 1 téraoctet (To)3. Avec l’introduction de sa gamme de cartes microSD de nouvelle génération, Samsung vise à fournir des solutions de mémoire différenciées requises pour l’informatique mobile et les applications d’IA sur appareil de demain.
« Avec nos deux nouvelles cartes microSD, Samsung a fourni des solutions efficaces pour répondre aux demandes croissantes de l’informatique mobile et de l’IA sur les appareils », a déclaré Hangu Sohn, vice-président de l’équipe Biz des produits de marque mémoire chez Samsung Electronics. « Malgré leur petite taille, ces cartes mémoire offrent des performances et une capacité puissantes de type SSD pour aider les utilisateurs à tirer le meilleur parti des applications modernes et futures exigeantes. »
La première carte microSD SD Express du secteur offre des vitesses maximales de 800 Mo/s
Pour la première fois dans l’industrie, Samsung a présenté une nouvelle carte microSD hautes performances basée sur l’interface SD Express. Le développement est le résultat d’une collaboration réussie avec un client pour créer un produit personnalisé.
Grâce à sa conception basse consommation ainsi qu’à sa technologie de firmware optimisée pour les hautes performances et la gestion thermique, la carte microSD SD Express de Samsung offre des performances équivalentes aux SSD dans un petit format. Alors que les vitesses de lecture des cartes microSD traditionnelles basées sur l’interface UHS-1 étaient limitées à 104 Mo/s, SD Express a pu la porter à 985 Mo/s, bien que la disponibilité commerciale de cette dernière n’était pas viable jusqu’à présent dans les cartes microSD.
La vitesse de lecture séquentielle de la carte microSD SD Express de Samsung atteint jusqu’à 800 Mo/s, soit 1,4 fois plus rapide que les SSD SATA (jusqu’à 560 Mo/s) et plus de quatre fois plus rapide que les cartes mémoire UHS-1 traditionnelles (jusqu’à 200 Mo). /s), permettant des expériences informatiques améliorées dans diverses applications, notamment les PC et les appareils mobiles. Pour garantir des performances stables et une fiabilité pour le petit facteur de forme, la technologie Dynamic Thermal Guard (DTG) maintient la température optimale pour la carte microSD SD Express, même pendant de longues sessions d’utilisation.
Carte microSD UHS-1 de 1 To avec V-NAND de pointe de 1 To
La nouvelle carte microSD de 1 To de Samsung empile huit couches de la V-NAND de 1 térabit (To) de 8e génération de la société dans un facteur de forme microSD, réalisant ainsi le boîtier haute capacité qui n’était auparavant possible que dans les SSD. La nouvelle carte microSD de 1 To réussit les paramètres de test les plus rigoureux de l’industrie et offre une utilisation fiable même dans des environnements difficiles, avec des fonctionnalités telles que la protection contre l’eau, les températures extrêmes, la conception résistante aux chutes, la protection contre l’usure, ainsi que la protection contre les rayons X et magnétique. .4
Disponibilité
La carte microSD SD Express de 256 Go sera disponible à l’achat plus tard cette année, et la carte microSD UHS-1 de 1 To devrait être lancée au cours du troisième trimestre de cette année.
1 1 gigaoctet (Go) = 1 000 000 000 octets (1 milliard d’octets). La capacité utile réelle peut varier.
2 SD Express : La nouvelle interface de carte SD avec PCIe Gen3x1 (basée sur la spécification SD 7.1 publiée en février 2019), la vitesse de transfert théorique d’une carte SD Express est de 985 Mo/s.
3 1 téraoctet (To) = 1 000 000 000 000 d’octets (1 billion d’octets). La capacité utile réelle peut varier
4 Samsung n’est pas responsable des dommages et/ou de la perte de données ou des dépenses liées à la récupération des données de la carte mémoire. Les six preuves revendiquées ne s’appliquent qu’à la carte microSD UHS-1 de 1 To, et non à la carte microSD SD Express de 256 Go. 1M de profondeur, eau salée, 72h. Températures de fonctionnement de -25 ℃ à 85 ℃ (-13 °F à 185 °F), températures de non-fonctionnement de -40 ℃ à 85 ℃ (-40 °F à 185 °F). Résiste aux appareils à rayons X standards des aéroports (jusqu’à 100 mGy). Champ magnétique équivalent à un scanner IRM à champ élevé (jusqu’à 15 000 gauss). Résiste à des chutes jusqu’à 5 mètres (16,4 pieds). Jusqu’à 10 000 balayages.
2024-02-28 05:05:11
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