SANTA CLARA – Dans le secteur en constante évolution des semi-conducteurs, Pat Gelsinger, PDG d’Intel (NASDAQ:), a indiqué que le prochain nœud de traitement de l’entreprise pourrait surpasser les performances des futures puces de son rival Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC). Alors que les deux géants de la technologie s’efforcent d’affiner les nœuds de semi-conducteurs plus petits, ils sont à la pointe de l’innovation et prévoient de produire en masse des puces avancées dans les années à venir.
Intel se prépare à introduire de nouvelles technologies, notamment son architecture RibbonFET, dans le cadre de sa stratégie visant à faire progresser la fabrication de semi-conducteurs. L’entreprise vise la fin de l’année 2024 pour le lancement de cette nouvelle technologie de semi-conducteurs. RibbonFET est la première nouvelle architecture de transistor d’Intel depuis l’introduction de FinFET en 2011, et elle promet des améliorations significatives en termes de performance et d’efficacité des transistors.
De l’autre côté de la compétition, TSMC a établi sa feuille de route, avec l’intention de produire en masse son nœud N3P d’ici la fin de l’année 2024. En outre, TSMC prévoit le développement de son nœud N2 pour 2025. Ces avancées représentent des étapes cruciales pour TSMC, qui continue à repousser les limites de la performance des puces et de l’efficacité énergétique.
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