TEMPO.CO, Jakarta –
Samsung devrait annoncer le début de la production de masse puce 3 nm la semaine prochaine. Cette nouvelle signifie que Samsung sera en avance sur son concurrent, la Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), qui avait précédemment annoncé qu’elle commencerait la production de puces 3 nm au second semestre de cette année.
Les nœuds 3 nm de Samsung apporteront une réduction de 35 % de la surface, des performances supérieures de 30 % ou une consommation d’énergie inférieure de 50 % par rapport aux puces basées sur la fabrication de transistors 5 nm. Ce dernier est déjà utilisé pour Snapdragon 888 et Exynos 2100.
Ces progrès seront réalisés en passant aux conceptions Gate-All-Around (GAA) pour les transistors. Cette conception est la prochaine étape après FinFET car elle permet aux fonderies de rétrécir les transistors, sans compromettre leur capacité à transporter le courant.
La visite de Biden chez Samsung
Le président américain Joe Biden a visité l’usine Samsung de Pyeongtaek le mois dernier et a assisté à une démonstration de la technologie 3 nm de Samsung. L’année dernière, il a été question que l’entreprise pourrait investir 10 milliards de dollars pour construire une usine de puces 3 nm au Texas. Cet investissement est passé à 17 milliards de dollars. Il est prévu que l’usine puisse commencer à fonctionner en 2024.
Cependant, la plus grande préoccupation avec le nouveau nœud est le rendement. En octobre de l’année dernière, Samsung a déclaré que les résultats de son processus de fabrication de puces 3 nm étaient « proches du même niveau que le processus 4 nm ». Mais l’entreprise n’a jamais montré de chiffres officiels.
Une conception de puce 3 nm de deuxième génération est attendue d’ici 2023 et la feuille de route de la société comprend également un nœud 2 nm basé sur MBCFET d’ici 2025.
ARÉNA GSM
