2024-05-21 07:47:30
Samsung a annoncé mardi avoir remplacé le chef de sa division puces, une décision qui reflète l’inquiétude de l’entreprise quant à sa domination sur le marché des semi-conducteurs.
Le géant technologique sud-coréen a annoncé avoir nommé Jun Young-hyun à la tête de la division Device Solutions (DS). Cette décision constitue une “mesure préventive” visant à renforcer la compétitivité future de ses semi-conducteurs, a expliqué Samsung.
Jun, ancien PDG du fabricant de batteries Samsung SDI et cadre supérieur de l’activité mémoire de Samsung, devrait utiliser son expertise pour surmonter la “crise des semi-conducteurs”, a ajouté la société.
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Le patron sortant Kyung Kye-hyun, qui dirigeait la division DS pendant deux ans auparavant, continuera à diriger le Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT), un poste traditionnellement réservé aux anciens PDG et chefs de division.
Le remplacement par Samsung d’un poste aussi clé en mai est très inhabituel dans la mesure où Samsung annonce normalement son remaniement exécutif vers la fin de l’année. Bien que l’entreprise n’ait pas précisé en quoi consistait la crise des semi-conducteurs, elle fait probablement référence à la forte concurrence à laquelle son activité de mémoire, son unité génératrice de profits la plus élevée, est confrontée.
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Samsung reste le plus grand fabricant mondial de puces mémoire, loin devant ses rivaux SK Hynix et Micron. Cependant, il a pris du retard sur son rival national SK Hynix dans le domaine de la mémoire à large bande passante (HBM), une puce qui a vu la demande augmenter au cours des deux dernières années en raison du boom de l’intelligence artificielle (IA). La puce est considérée comme le nouveau générateur de croissance pour les fabricants de mémoires. SK Hynix est actuellement le plus grand fournisseur de HBM3E de Nvidia pour ses puces IA.
Samsung a annoncé une hausse de 900 % de son bénéfice d’exploitation pour le premier trimestre de cette année, mais cela n’a pas dû être réconfortant car cette hausse est davantage liée à la nature cyclique du marché des puces mémoire et signale le début du cycle haussier après deux ans de ralentissement.
Vétéran de longue date de Samsung, Jun est connu comme un spécialiste de la technologie au sein du géant technologique sud-coréen et a été responsable des avancées clés dans les domaines de la DRAM et de la NAND pour l’entreprise. Sa nomination peut être considérée comme un retour à l’essentiel consistant à se concentrer sur les avancées technologiques entre des mains fiables.
HBM est composé de plusieurs matrices DRAM empilées verticalement. L’objectif principal de Jun sera donc de réduire l’écart dans la catégorie de produits par rapport à SK Hynix et, au fil des années, de éventuellement les bouleverser. Samsung a annoncé avoir développé un HBM3E à 12 piles en février, avant ses concurrents.
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