Samsung présente une puce DDR5 12 nm, la première au monde

Jakarta –

Samsung en collaboration avec AMD a terminé le développement de la puce 16 gigabits DRAM DDR5qui prétend être le premier au monde à utiliser la technologie 12 nm.

Samsung qualifie cette puce de saut technologique dans l’industrie, et AMD a également pour rôle d’évaluer la compatibilité de cette puce DDR5 avec les CPU à architecture Zen.

Concernant la vitesse, selon Samsung, cette nouvelle puce peut débloquer des vitesses allant jusqu’à 7,2 Gbps. En d’autres termes, ce module RAM peut traiter deux films 4K de 30 Go en une seule seconde. Oui, une seconde.

La puce de 12 nm est produite à l’aide d’un processus appelé ultraviolet extrême multicouche (EUV), qui est plus coûteux que la technologie de l’ultraviolet profond (DUV) couramment utilisée dans la production de mémoire.

Samsung utilise également des matériaux diélectriques à k élevé pour augmenter la capacité des cellules et utilise une technologie spéciale pour améliorer les caractéristiques critiques de son circuit.

Oh oui, cette puce de 12 nm offre la densité la plus élevée de l’industrie, ce qui peut augmenter la productivité des tranches de 20 %. Sa consommation d’énergie est également bien inférieure à celle des produits DRAM précédents, soit 23 % de moins.

Cette puce DDR5 12 nm ne sera produite en série qu’en 2023 et devrait être étendue à d’autres lignes DRAM fabriquées par Samsung. Les segments de marché ciblés par Samsung via cette puce comprennent l’informatique de nouvelle génération, les centres de données et les systèmes qui traitent l’IA.

Les entreprises qui utilisent des ordinateurs avec des puces DRAM DDR5 de 12 nm sont promises à une augmentation significative des performances et également à une efficacité énergétique.

“La gamme de DRAM 12 nm sera essentielle pour stimuler l’adoption plus large de la DRAM DDR5 sur le marché”, a déclaré Jooyoung Lee, vice-président exécutif de DRAM Product & Technology chez Samsung.

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(asj/asj)