Le fabricant chinois CXMT a annoncé le 20 septembre 2026 le lancement de la production de masse de sa plateforme DRAM de cinquième génération. Cette avancée technologique permet de réduire l’espacement des structures à 11,95 nanomètres, renforçant ainsi la position de la Chine face aux géants mondiaux des semi-conducteurs.
La DRAM, ou mémoire vive dynamique, constitue la mémoire de travail à court terme que les téléphones, les ordinateurs et autres appareils utilisent pour exécuter des applications et des programmes. Cette nouvelle plateforme est conçue pour fabriquer des puces mémoire plus puissantes à moindre coût et avec moins d’utilisation d’énergie. CXMT, qui a fait son introduction sur le STAR Market de Shanghai en 2026, a déclaré qu’elle offrirait aux fabricants d’électronique une source d’approvisionnement supplémentaire pour les puces utilisées dans les smartphones et autres appareils.
CXMT, principal producteur de DRAM à Hefei
CXMT, principal producteur de DRAM en Chine et dont le siège est basé à Hefei, a indiqué que sa nouvelle plateforme regroupe les structures minuscules stockant les données plus près les unes des autres, permettant d’intégrer davantage de mémoire sur chaque puce et de fabriquer un plus grand nombre de puces individuelles à partir de chaque plaquette de silicium. Le fabricant de puces basé à Hefei a précisé avoir réduit l’espacement des caractéristiques clés dans la partie de la puce qui stocke les données à 11,95 nm, soit environ 12 milliardièmes de mètre. Pour y parvenir, il a eu recours à la « quadruple structuration », un processus répétant plusieurs étapes de fabrication afin de produire des motifs de circuits plus fins.
Luo Xiaodong, vice-président de CXMT et directeur de son centre marketing, a affirmé que les capacités de fabrication de l’entreprise étaient désormais à la hauteur des nœuds de production de masse les plus avancés du secteur.
La nouvelle architecture permet d’emballer plus de mémoire sur chaque puce et d’augmenter le rendement par plaquette de silicium. D’après les informations rapportées par Reuters, ces nouvelles puces de mémoire pour mobiles stockent 50 % de données en plus que les produits comparables précédents, et selon CXMT, la plateforme permet de produire au moins 50 % de puces supplémentaires par plaquette. Cette avancée souligne le défi que représente la Chine pour les fournisseurs de puces mémoire établis que sont Samsung Electronics, SK Hynix et Micron Technology sur le marché mondial.
Dans la foulée de cette annonce, les avancées de l’entreprise s’inscrivent dans une dynamique où les leaders de la mémoire en Chine s’étendent avec le soutien des gouvernements étatiques et locaux. Cette progression technologique permet à l’entreprise de renforcer sa compétitivité internationale face à des rivaux bien établis.
CXMT planifie l’implantation d’une ligne de recherche de mémoire flash NAND à Pékin
Parallèlement à ses activités DRAM, CXMT (688825.SS) planifie l’implantation d’une ligne de recherche de mémoire flash NAND à Pékin, selon trois sources proches du dossier interrogées par Reuters. Ce projet ouvre un nouveau marché au-delà de l’activité principale de CXMT axée sur la DRAM et placera le spécialiste de la mémoire vive dynamique face à son rival national YMTC, l’entraînant dans l’un des segments de l’industrie des semi-conducteurs connaissant la croissance la plus rapide, tout en défiant directement des acteurs tels que Samsung, SK Hynix, Micron et YMTC.
Kwak Noh-jung évoque une pénurie mondiale de mémoire persistante jusqu’en 2027
Cette initiative intervient dans un contexte où la forte demande de serveurs d’intelligence artificielle a provoqué une pénurie mondiale de mémoire que les dirigeants du secteur estiment devoir persister au moins jusqu’en 2027. Le PDG de SK Hynix, Kwak Noh-jung, a déclaré en juillet que l’année 2027 pourrait constituer la pire année pour l’industrie sous l’angle de l’offre, tandis que TrendForce prévoit que la tension sur l’offre de NAND ne s’apaise qu’au second semestre de l’année prochaine. De plus, les fabricants ont priorisé leurs dépenses d’investissement en faveur de la DRAM et de la mémoire à haute bande banche (HBM), limitant de fait l’accroissement des capacités pour la flash NAND et accentuant les tensions sur ce segment.
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