L’arrivée imminente des baies d’alimentation 800V de Nvidia pour la plateforme Vera Rubin, prévue pour le troisième trimestre 2026, transforme radicalement les centres de données. Cette transition vers le courant continu haute tension impose l’usage massif de semi-conducteurs en carbure de silicium et en nitrure de gallium pour gérer une consommation électrique sans précédent.
De l’infrastructure informatique aux « usines d’IA » hautement électrifiées
L’évolution des charges de travail de l’intelligence artificielle modifie la nature même des installations. Alors que les centres de données traditionnels géraient des flux de streaming ou de stockage avec une densité de puissance modérée, les nouveaux systèmes migrent vers des architectures à l’échelle des grappes de serveurs. Cette densification extrême entraîne un changement de paradigme : la gestion de la chaleur et de l’énergie devient aussi critique que la capacité de calcul elle-même. La montée en puissance des racks nécessite d’ailleurs souvent le passage du refroidissement par air au refroidissement liquide pour stabiliser les composants.
Selon les analyses de Semivision, la consommation par unité de calcul évolue de manière significative :
- Anciennes baies : 10 kW, 20 kW ou 30 kW.
- Baies IA actuelles : 100 kW à 200 kW.
- Systèmes futurs : potentiellement plusieurs centaines de kilowatts, voire le mégawatt.
“Les centres de données d’IA évoluent d’une infrastructure informatique vers une infrastructure de puissance.
Le déploiement de la plateforme Vera Rubin et l’architecture 800V de Nvidia
Pour répondre à ces besoins énergétiques, Nvidia prévoit de proposer une configuration optionnelle de baie d’alimentation 800V haute tension (HVDC) pour ses clients utilisant la plateforme Vera Rubin, qui succède à l’architecture Blackwell. L’adoption du 800V permet de réduire l’intensité du courant nécessaire pour fournir une puissance donnée, ce qui minimise les pertes par effet Joule (chaleur) dans les câbles et les barres omnibus de distribution.
D’après les analystes de TrendForce, les premières expéditions de ces infrastructures devraient débuter au troisième trimestre 2026.
Calendrier de déploiement et parts de marché
Cette architecture devrait s’imposer davantage après le lancement de la génération Rubin Ultra prévu au second semestre 2027, avec un déploiement généralisé attendu en 2028. Les recherches de UBS indiquent que les configurations de racks Kyber à 800V de Nvidia devraient voir les puces en carbure de silicium (SiC) et en nitrure de gallium (GaN) capturer entre 10 et 15 % de l’architecture des semi-conducteurs de puissance d’ici 2027.
La coexistence technologique entre le GaN et le SiC
Contrairement à une idée reçue, le marché ne se résume pas à une lutte entre le nitrure de gallium et le carbure de silicium. Comme l’a souligné TechInsights lors de la conférence PCIM 2026, ce n'est pas un marché de GaN contre SiC.
Leurs rôles sont distincts et complémentaires au sein des nouvelles architectures de puissance. Le GaN est privilégié pour sa haute fréquence de commutation, ce qui permet de réduire la taille des composants magnétiques et d’augmenter la densité de puissance dans les convertisseurs de proximité (Point-of-Load) qui alimentent directement les processeurs. Parallèlement, le SiC reste la technologie de choix pour les applications à haute tension, telles que les transformateurs à l’état solide (SST) et la distribution d’énergie à l’échelle des installations, où sa robustesse face aux tensions élevées est supérieure.
L’offensive des fabricants chinois sur le marché du SiC
Parallèlement à l’évolution des architectures de Nvidia, les fabricants de puces chinois accélèrent leur expansion pour capter la demande liée aux infrastructures d’IA. Basic Semiconductor, une entreprise basée à Shenzhen fondée en 2016 par des diplômés de l’Université Tsinghua et de l’Université de Cambridge, cherche à financer sa croissance via une introduction en bourse (IPO) à Hong Kong.
L’entreprise se positionne comme l’un des rares fabricants de dispositifs entièrement intégrés dans le domaine du SiC, couvrant la conception, la fabrication de plaquettes et le conditionnement de modules. Cette intégration verticale vise à sécuriser la chaîne d’approvisionnement face à une demande mondiale croissante. Elle rejoint des acteurs tels que Silan Microelectronics et China Resources Microelectronics dans la course à l’approvisionnement des infrastructures de nouvelle génération.
Bien que les analystes de UBS notent une surcapacité actuelle du marché mondial du SiC due à l’expansion agressive des capacités chinoises, la transition vers les architectures 800V en 2027 et 2028 devrait permettre d’absorber les stocks excédentaires en créant de nouveaux débouchés technologiques à haute valeur ajoutée.
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